存储芯片中除了NAND闪存及DRAM内存之外，写入芯片线还有多种技术选择，国内ReRAM(非易失性阻变式存储器)就是首条生产其中一种，其写入寿命可达100万次，写入芯片线此前主要是国内生产难度大，现在杭州昕原半导体主导建设了国内首条28/22nm ReRAM 12寸中试生产线。首条生产

据杭州日报消息，写入芯片线昕原半导体主导建设的国内国内首条28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线顺利完成了自主研发设备的装机验收工作，实现了中试线工艺流程的首条生产通线，并成功流片（试生产）。绝地求生黑号写入芯片线

传统CMOS代工厂或因囿于资源所限，国内迭代速度较慢，首条生产从而影响工艺开发进度，写入芯片线而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，国内但没有标准的首条生产12寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻变存储器）12寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快， 产线灵活，拥有自主可控的绝地求生辅助知识产权，使得ReRAM相关产品的快速实现变成了可能。

“作为大陆首条28/22nm ReRAM12寸中试生产线，我们产线的顺利导通并完成产品的验证和实现量产，将极大带动我国新型存储行业发展。”

昕原半导体相关负责人表示，“而在这一领域，目前国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现‘弯道超车’提供了可能。”